高速SRAM(非同期、同期SRAM、DDR-II、DDR-III、QDR-II)

GSI Technology
・大容量の高速SRAM(288Mb, 1333MHz Max)で大きなシェア、長期間の供給保証
・8,500品種以上の豊富な製品(非同期,同期SRAM,DDR-II,DDR-III,QDR-II)
・5V±10%、3.3V±10%の電源仕様に対応、電源電圧が変動しやすい環境でも安定動作
・ミリタリ温度(-55℃~+125℃)、ラドハード、ラドトレラントのSRAMPDFgaibu.jpg
・他社の高速SRAMと互換で置き換え可能→クロスリファレンス検索
メーカー名から互換検索 NEC / Cypress / Renesas / ISSI / Samsung / Hitachi / Micron

GSI型番一覧 (リンク先に製品の詳細情報はありません。)
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SigmaQuad SRAM(QDR-II SRAM 完全互換)

SigmaQuad-II SRAM(QDR-II SRAM 完全互換)

概要 ・競合他社のQDR (Quad Data Rate) SRAM と完全互換のSRAM
・容量 18/36/72/144/288Mb
・スピード 最大1333MHz
・構成 x8 / x9 / x18 / x36
・大量のデータを高速書き込み、読み込みする用途に最適。
・リードとライトが独立しており、同時動作が可能。
・バースト長:2ワード/4ワード から選択可能。
SigmaQuad SRAM詳細(GSIのWeb) カタログgaibu.jpg

SigmaDDR SRAM(DDR-II SRAM 完全互換)

非同期SRAM

概要 ・競合他社のDDR SRAM と完全互換のSRAM ・容量 18/36/72/144/288Mb
・スピード 最大833MHz動作
・構成 x8 / x9 / x18 / x36
・用途に合わせた2タイプあり
Common I/Oタイプ:入出力ポートが共用。連続的なデータの書込み/読出し用途に。バースト長は2ワードと4ワードから選択可能。
Separate I/Oタイプ:入力ポートと出力ポートが独立。ランダム発生的なデータの書込み/読出し用途に。バースト長は2ワードのみ。
SigmaDDR SRAM詳細(GSIのWeb) カタログgaibu.jpg

同期SRAM

同期SRAM

同期バースト ・FTピンの制御により、パイプライン(PB)/フロースルー(FT)の出力選択が可能
・容量 4/9/18/36/72/144Mb
・スピード 400MHz
同期バーストSRAM詳細(GSIのWeb) カタログgaibu.jpg
NBT SRAM
(No Bus Turnaround)
・容量 4/9/18/36/72/144Mb
・スピード 400MHz
・構成 x18 / x32 / x36 / x72
・他社製ZBT™、NtRAM™、NoBL™とは完全互換
・NBT機能によりリード/ライトの連続切替え時にウエイト・サイクル不要
同期バーストSRAM詳細(GSIのWeb) カタログgaibu.jpg

非同期 高速SRAM

非同期SRAM

概要 ・容量 1Mb/4Mb/8Mb
・アクセスタイムは業界最速の 7nsから
・構成 x16/x32
・動作消費電力は他社製品の2/3以下
産業用電子機器、計測システム、コスト重視のネットワーク機器などで使用される小型のキャッシュレス組み込みプロセッサのメインメモリとして最適。
非同期 高速SRAM詳細(GSIのWeb) カタログgaibu.jpg

Low Latency DRAM(LLDRAM™-II)

Low Latency DRAM

概要 ・低レイテンシで高速ランダム・アクセス可能なDDR-SDRAM
・高性能ネットワーク機器や業務用グラフィックスなどに最適
・他社製 RLDRAM IIとは完全互換
・容量 288/576/1125Mb
・スピード 533MHz
・構成 x9/x18/x36/ など
LLDRAM詳細(GSIのWeb) カタログgaibu.jpg

耐放射線型SRAM(ラドハード・ラドトレラントSRAM)

同期SRAM

ラドハード SRAM
(rad-hard)
・過酷な宇宙環境に最適な宇宙グレードの耐放射線SRAM
・Total Ionizing Dose (TID) > 100krads(Si)
・MIL-PRF-38535/QML CLASS Q/V
・Single Event Latchup Immunity > 77.3 MeV.cm2/mg
・SigmaQuad-Ⅱ+ 72/144/288Mb 350/250MHz
カタログgaibu.jpg
ラドトレラントSRAM
(rad-tolerant)
・ラドハードほどの耐放射線性能が不要な用途での宇宙用SRAM
・Total Ionizing Dose (TID) > 50krads(Si)
・SigmaQuad-Ⅱ+ 72/144/288Mb 350/250MHz
・同期バースト 36/72/144Mb 333/250MHz
・ノーバス・ターンアラウンド 36/72/144Mb 333/250MHz


ラドハード ラドトレラント
容量 288Mb/144Mb/72Mb (SigmaQuad) 288Mb/144Mb/72Mb (SigmaQuad)
144Mb/72Mb/36Mb (同期バースト&NBT)
スピード 350 MHz/250 MHz 350 MHz/250 MHz (SigmaQuad)
333MHz/250 MHz (同期バースト& NBT)
構成 X18/x36 X18/x36
パッケージ 165 CCGA, LGA, もしくは BGA 165 LBGA (SigmaQuad)
100 TQFP (同期バースト&NBT)
トータルドーズ
Total Ionizing Dose (TID)
>100krads(Si) >50krads(Si)
シングル・イベント・ラッチアップ耐性
Single Event Latchup Immunity
>77.3 MeV.cm2/mg (125°C) >42.2 MeV.cm2/mg (100°C)

ラドハード ラインナップ


ラドトレラント ラインナップ

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